В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5,страницы 596

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

В. Я. Алешкин^ab, А. А. Дубинов^ab, К. Е. Кудрявцев^ab, П. А. Юнин^ab, М. Н. Дроздов^ab, О. В. Вихрова^c, С. М. Некоркин^c, Б. Н. Звонков^c

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства метаморфного объемного слоя GaAsSb, выращенного на GaAs-подложке. При достижении величины плотности мощности возбуждения (длина волны 0.65 мкм) 9 кВт/см$^{2}$ при температуре жидкого азота и 230 кВт/см$^{2}$ при комнатной температуре наблюдалась суперлюминесценция на длинах волн 0.943 и 0.992 мкм соответственно.

Поступила в редакцию: 27.10.2015
Принята в печать: 03.11.2015