Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной долей кристаллической фазы

Методом двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом исследованы корреляционные свойства структуры пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной объемной долей кристаллической фазы. Анализ рельефа поверхности экспериментальных образцов показал, что по мере увеличения объемной доли кристаллической фазы в пленках $nc$-Si/a-Si : H наблюдалось увеличение размера и количества нанокластеров на их поверхности. Размеры нанокристаллов Si в матрице $a$-Si : H (6–8 нм) указывают на то, что крупные нанокластеры образовались в результате самоорганизации нанокристаллов Si в группы при воздействии лазерного излучения. С помощью метода двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом выявлено, что по мере увеличения доли нанокристаллов в пленках $nc$-Si/$a$-Si : H возрастало количество корреляционных векторов (гармонических составляющих) в их структуре.