RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 619–623 (Mi phts6461)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия

А. С. Ильинabc, Н. П. Фантинаa, М. Н. Мартышовab, П. А. Форшab, А. С. Чижовd, М. Н. Румянцеваd, А. М. Гаськовd, П. К. Кашкаровabc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный
d Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Исследовано влияние квантовых точек селенида кадмия на электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия с размером нанокристаллов от 7 до 40 нм. Методами импедансной спектроскопии показано, что добавление квантовых точек оказывает значительное влияние на сопротивление границ между кристаллами In$_{2}$O$_{3}$. Обнаружено изменение характера спектральной фотопроводимости оксида индия при добавлении квантовых точек CdSe, а также установлено, как это изменение зависит от размеров нанокристаллов In$_{2}$O$_{3}$. Предложена энергетическая зонная диаграмма, объясняющая наблюдаемое изменение спектральной зависимости фотопроводимости In$_{2}$O$_{3}$ при добавлении квантовых точек CdSe.

Поступила в редакцию: 29.10.2015
Принята в печать: 13.11.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:5, 607–611

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024