А. Ю. Егоров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. В. Бабичев, В. Н. Неведомский, В. Е. Бугров, “Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5,страницы 624

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм

А. Ю. Егоров^abc, Л. Я. Карачинский^abc, И. И. Новиков^bac, А. В. Бабичев^acb, В. Н. Неведомский^a, В. Е. Бугров^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показана возможность создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм. Исследованы структурные и оптические свойства методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Проведeнный сравнительный анализ интегральной интенсивности фотолюминесценции созданных гетероструктур и эталонного образца подтвердил высокую эффективность излучательной рекомбинации в созданных гетероструктурах. Отсутствие проникновения дислокаций в активную область метаморфных гетероструктур, где происходит процесс излучальной рекомбинации носителей заряда, подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии.

Поступила в редакцию: 10.11.2015
Принята в печать: 16.11.2015