Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1 $\times$ 64 на основе двойной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb/$n^{+}$-InAs, освещаемой со стороны подложки $n^{+}$-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77–353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.