Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены три лазерные структуры с одиночной напряженной квантовой ямой из InGaAs и волноводной областью из GaAs или Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$As. В этих структурах, имеющих различную глубину квантовой ямы, были измерены плотность порогового тока и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность. С использованием экспериментальных значений этих величин была вычислена скорость захвата электронов в квантовую яму в каждой из трех структур. Получено, что скорость захвата в глубокие ямы существенно меньше, чем в мелкие.