В. И. Козловский, В. С. Кривобок, П. И. Кузнецов, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, А. Г. Тимирязев, В. П. Мартовицкий, “Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5,страницы 700

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs

В. И. Козловский^ab, В. С. Кривобок^ab, П. И. Кузнецов^c, С. Н. Николаев^a, Е. Е. Онищенко^a, А. А. Пручкина^a, А. Г. Тимирязев^c, В. П. Мартовицкий^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs выращены напряженные эпитаксильные слои ZnSe. Обнаружено, что на поверхности таких слоев формируются наноостровки Se плотностью от 10$^{8}$ до 10$^{9}$ см$^{-2}$. Установлено, что после завершения роста происходит увеличение размера островков Se и уменьшение их плотности. Отжиг в атмосфере H$_{2}$ при температуре выше 260$^\circ$C приводит к исчезновению островка Se и уменьшению шероховатости поверхности. Показано, что отжиг не ведет к ухудшению структурного совершенства эпитаксиальных пленок ZnSe, при этом способствуя уменьшению интенсивности примесно-дефектной люминесценции и увеличению интенсивности собственного излучения вблизи дна экситонной зоны.

Поступила в редакцию: 06.10.2015
Принята в печать: 16.10.2015