Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках

Рассмотрены физические и технологические основы метода отделения слабо и умеренно легированных пленок $n$-GaN от сильно легированных подложек $n^{+}$-GaN. В основе метода отделения лежит эффект поглощения лазерного ИК излучения на свободных носителях заряда, которое значительно сильнее в $n^{+}$-GaN пленках.