RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 433–437 (Mi phts6480)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Электронная структура Pt-замещенных клатратных силицидов Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4–6)

Н. А. Борщ

Воронежский государственный технический университет

Аннотация: Представлены результаты расчета электронного строения Pt-замещенных клатратов на основе кремния. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализируется влияние числа замещений и их кристаллографической позиции в элементарной ячейке на электронно-энергетический спектр и электронные свойства Pt-замещенных клатратов.

Поступила в редакцию: 14.09.2015
Принята в печать: 21.09.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 427–431

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024