RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 438–440 (Mi phts6481)

Электронные свойства полупроводников

Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N

С. И. Борисенко

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Аннотация: Методом прогонки проведен расчет зависимости эффективного времени релаксации от концентрации электронов в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N при рассеянии на продольных полярных оптических фононах. Метод учитывает неупругость рассеяния электронов на полярных оптических фононах для нитридов в сфалеритном приближении. Расчеты показали существенное увеличение подвижности в образцах с вырожденным электронным газом при учете экранировки дальнодействующего потенциала продольных полярных оптических фононов.

Поступила в редакцию: 31.03.2015
Принята в печать: 21.07.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 432–434

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024