Релаксационные колебания суперлюминесценции в полупроводнике, обусловленные “залечиванием” фермиевского распределения неравновесных электронов

Показано, что модуляция интенсивности суперлюминесцентного излучения с характерным временем порядка нескольких пикосекунд может возникать в полупроводнике благодаря релаксационным колебаниям энергии излучения, обусловленным “залечиванием” локальных в энергетическом пространстве возмущений квазифермиевского распределения неравновесных электронов. Проведены оценки условий наблюдения этого эффекта для GaAs.