RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 470–473 (Mi phts6488)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых $p^{+}$$n$$n^{+}$- и $n^{+}$$p$$p^{+}$-структурах

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования, эффектов изменения тока ударной ионизации в кремниевых диффузионных $p^{+}$$n$$n^{+}$- и $n^{+}$$p$$p^{+}$-структурах при неоднородном их разогреве. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с трансформацией зонных энергетических уровней, которые обусловлены термоупругими напряжениями структур.

Поступила в редакцию: 06.04.2015
Принята в печать: 21.09.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 462–465

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024