RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 501–508 (Mi phts6493)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния

Д. Д. Авровa, А. О. Лебедевb, Ю. М. Таировa

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основе литературных и собственных экспериментальных данных рассмотрены основные аспекты проблемы, связанной с обеспечением политипной стабильности выращиваемых слитков карбида кремния политипов 4H и 6Н.

Поступила в редакцию: 15.10.2015
Принята в печать: 19.10.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 494–501

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024