RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 538–548 (Mi phts6498)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе

Ю. К. Ундаловa, Е. И. Теруковab, О. Б. Гусевa, И. Н. Трапезниковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Проведены исследования по активации процесса формирования аморфных нанокластеров кремния в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния путем применения модулированной во времени плазмы разряда на постоянном токе (DC). Модуляция плазмы осуществлялась многократным включением и выключением катушки магнита DC-магнетрона. Показано, что возникающий при этом эффект самоиндукции приводит в итоге к увеличению вероятности столкновения электронов разряда с газообразными компонентами. Анализ инфракрасных спектров пленок показал, что модуляция плазмы увеличивает содержание преимущественно мостикового кислорода в матрице $a$-SiO$_{x}$:H за счет усиления процесса ионизации кислорода. Предполагается, что это также увеличивает концентрацию нанокластеров кремния (ncl-Si) с окисленной внешней поверхностью в плазме, тем самым усиливая поток ncl-Si в сторону электродов DC-магнетрона. Спектры фотолюминесценции содержат две широкие перекрывающиеся полосы, характерные для аморфных ncl-Si, с максимумами, располагающимися в диапазоне 600–1000 нм.

Поступила в редакцию: 14.05.2015
Принята в печать: 14.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:4, 530–540

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024