З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, Н. А. Абдуллаев, “Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3,страницы 289

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$

З. А. Джахангирли^ab, Т. Г. Керимова^a, Н. А. Абдуллаев^ab

^a Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Азербайджанский технический университет, г. Баку

Аннотация: На основе теории функционала плотности проведены расчеты плотности фононных состояний, дисперсия фононов, получена температурная зависимость теплоемкости ZnGa$_{2}$Se$_{4}$ в интервале 5–400 K. Рассчитанные частоты и симметрии фононных мод в центре зоны Бриллюэна хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными из комбинационного рассеяния света и инфракрасных спектров.

Поступила в редакцию: 08.06.2015
Принята в печать: 10.06.2015