RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 298–301 (Mi phts6507)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние фононного увлечения на термоэдс в параболической квантовой яме

Х. А. Гасановa, Д. И. Гусейновa, В. В. Дадашоваb, Ф. Ф. Алиевc

a Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
b Бакинский государственный университет
c Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Развита теория термоэдс увлечения, возникающая при наличии градиента температуры в плоскости слоя двумерного электронного газа в параболической квантовой яме. Рассматриваются механизмы взаимодействия электронов c акустическими фононами, с учетом экранирования потенциала взаимодействия. Установлено, что существенный вклад в термоэдс двумерного электронного газа дает эффект увлечения электронов фононами. Показано, что учет экранирования значительно влияет на величину термоэдс увлечения. Для температурной зависимости термоэдс в параболической квантовой яме GaAs/AlGaAs в интервале температур 1–10 K установлено хорошее согласие полученных теоретических результатов с экспериментом.

Поступила в редакцию: 09.07.2015
Принята в печать: 23.07.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:3, 295–298

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024