RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 318–323 (Mi phts6510)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов

Р. М. Пелещакa, И. И. Лазурчакa, О. В. Кузыкa, О. О. Данькивa, Г. Г. Зегряb

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована роль акустоэлектронных эффектов в формировании наноразмерных структур адатомов, происходящих в результате самосогласованного взаимодействия адатомов с поверхностной акустической волной и электронной подсистемой, для случая заряженных и незаряженных адсорбированных атомов. Показано, что при фиксированном значении средней концентрации адатомов увеличение степени легирования полупроводника донорными примесями приводит к увеличению критической температуры, ниже которой происходят процессы самоорганизации.

Поступила в редакцию: 29.07.2015
Принята в печать: 07.08.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:3, 314–319

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024