Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe

Исследованы условия изготовления фоточувствительных гетеропереходов TiN/$p$-InSe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок нитрида титана на свежесколотые монокристаллические пластины $p$-InSe. На основе анализа вольт-амперных характеристик установлено присутствие на гетеропереходе туннельно-тонкого высокоомного слоя In$_{2}$Se$_{3}$ и выяснено его влияние на электрические свойства и спектральные зависимости фоточувствительности исследованых гетероструктур. Определены основные механизмы формирования прямого и обратного токов сквозь энергетический баръер TiN/$p$-InSe.