А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3,страницы 350

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства

А. П. Деточенко^a, С. А. Денисов^ab, М. Н. Дроздов^b, А. И. Машин^a, В. А. Гавва^c, А. Д. Буланов^ac, А. В. Нежданов^a, А. А. Ежевский^a, М. В. Степихова^ab, В. Ю. Чалков^a, В. Н. Трушин^a, Д. В. Шенгуров^ab, В. Г. Шенгуров^a, N. V. Abrosimov^d, H. Riemann^d

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
^d Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany

Аннотация: Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния $^{30}$Si или $^{28}$Si и (или) газового источника моногермана $^{74}$GeH$_{4}$. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев $^{30}$Si, $^{28}$Si, $^{74}$Ge и $^{30}$Si$_{1-x}^{74}$Ge$_{x}$. Слои $^{30}$Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 09.09.2015
Принята в печать: 09.09.2015