Аннотация:
Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ при мощностях дозы $\gamma$-излучения $P$ = 0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.
Поступила в редакцию: 11.06.2015 Принята в печать: 17.06.2015