RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 354–356 (Mi phts6516)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии $\gamma$-излучения

В. Д. Попов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ при мощностях дозы $\gamma$-излучения $P$ = 0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.

Поступила в редакцию: 11.06.2015
Принята в печать: 17.06.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:3, 349–351

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024