RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 382–387 (Mi phts6520)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Углеродные системы

Модель адсорбции на аморфном графене

С. Ю. Давыдовab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена модель плотности состояний аморфного однолистного графена, включающая как близкую к точке Дирака, так и периферийную области энергий. С помощью предложенной модели решена задача об адсорбции с использованием аппроксимации, позволяющей представить зонные вклады $n_{b}$ в числа заполнения адатома $n_{a}$ в аналитическом виде. Сделаны оценки вызванного аморфизацией изменения чисел заполнения адатомов щелочных металлов и галогенов.

Поступила в редакцию: 07.07.2015
Принята в печать: 08.09.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:3, 377–383

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024