Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3,страницы 393

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

Н. В. Крыжановская^a, М. В. Максимов^ab, С. А. Блохин^b, М. А. Бобров^bc, М. М. Кулагина^b, С. И. Трошков^b, Ю. М. Задиранов^b, А. А. Липовский^ca, Э. И. Моисеев^a, Ю. В. Кудашова^a, Д. А. Лившиц^d, В. М. Устинов^b, А. Е. Жуков^ace

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^d Innolume GmbH, Dortmund, Germany
^e Санкт-Петербургский научный центр РАН

Аннотация: Реализованы инжекционные микродисковые лазеры на подложках GaAs с минимальным диаметром 15 мкм и активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре без принудительного охлаждения. Длина волны генерации составила $\sim$1.27 мкм, минимальный пороговый ток 1.6 мА. Удельное тепловое сопротивление оценено равным 5 $\cdot$ 10$^{-3\circ}$С $\cdot$ см$^{2}$/Вт.

Поступила в редакцию: 30.06.2015
Принята в печать: 08.07.2015