А. А. Югов, С. С. Малахов, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3,страницы 415

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN

А. А. Югов^a, С. С. Малахов^a, А. А. Донсков^a, М. П. Духновский^b, С. Н. Князев^a, Ю. П. Козлова^c, Т. Г. Югова^a, И. А. Белогорохов^a

^a Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
^b Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
^c Институт ядерных исследований РАН, г. Москва

Аннотация: Показано влияние типа подложки – сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al$_{2}$O$_{3}$ (c- и r-ориентации) – на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20–40 нм.

Поступила в редакцию: 23.06.2015
Принята в печать: 30.06.2015