RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 154–157 (Mi phts6529)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$

И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: На монокристаллах тройных соединений CuIn$_{5}$S$_{8}$, FeIn$_{2}$S$_{4}$ и твердых растворах (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с $x$ изменяется нелинейно (с максимумом для среднего состава) и описывается квадратичной зависимостью.

Поступила в редакцию: 09.06.2015
Принята в печать: 01.07.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:2, 154–157

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024