RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 657–661 (Mi phts653)

Насыщение усиления при прямых оптических переходах в валентной зоне германия

Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов


Аннотация: Рассмотрен нелинейный режим взаимодействия горячих дырок Ge и генерируемого ими дальнего ИК излучения в условиях инверсии прямых оптических переходов между легкой и тяжелой подзонами в ${E\perpB}$ полях. Показано, что насыщение коэффициента усиления во всей спектральной полосе инверсии носит резко неоднородный характер, приводящий к эффекту выжигания. Возникновение последнего связано с резонансным переходом легких дырок в тяжелую подзону с траекторией, радиусы циклотронного вращения которых в импульсном пространстве малы. Рассмотрена зависимость эффекта выжигания от поляризации излучения.



© МИАН, 2025