И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2,страницы 191

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN

И. А. Александров^a, К. С. Журавлев^b, В. Г. Мансуров^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследовано влияние дефектов в барьере AlN на кривые затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN в матрице AlN после импульсного возбуждения. В кривых затухания структур с квантовыми точками обнаружен начальный участок быстрого затухания фотолюминесценции. Сравнение кривых затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками и слоев AlN без квантовых точек показало, что этот участок связан с вкладом полосы фотолюминесценции дефектов матрицы AlN.

Поступила в редакцию: 12.05.2015
Принята в печать: 18.05.2015