Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия

Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al$_{2}$O$_{3}$ и трехслойные композиции Al$_{2}$O$_{3}$/SiO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$. Определена зависимость электрической прочности слоев Al$_{2}$O$_{3}$ от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$/SiO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al$_{2}$O$_{3}$/SiO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ в качестве подзатворного диэлектрика.