Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2,страницы 254

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами

Н. А. Соболев^a, К. Ф. Штельмах^ba, А. Е. Калядин^a, П. Н. Аруев^a, В. В. Забродский^a, Е. И. Шек^a, D. Yang^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, 310027 Hangzhou, People’s Republic of China

Аннотация: Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах $n^{+}$–$p$–$p^{+}$ на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока.

Поступила в редакцию: 09.07.2015
Принята в печать: 17.07.2015