RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 3–8 (Mi phts6554)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn

А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы люминесцентные свойства светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaAs/InGaAs со слоями, легированными Mn. Получены зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесценции от ростовых параметров – содержания Mn, концентрации дырок. Обнаружено монотонное увеличение степени циркулярной поляризации электролюминесценции и температуры Кюри ферромагнитной структуры с ростом концентрации дырок, а также изменение знака степени циркулярной поляризации в зависимости от содержания Mn. Полученные данные объясняются с точки зрения известных моделей ферромагнетизма в структурах на основе ферромагнитных полупроводников.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 22.04.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 1–7

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024