В. И. Козловский, В. С. Кривобок, П. И. Кузнецов, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, А. Г. Темирязев, С. И. Ченцов, “Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1,страницы 9

Обзоры

Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий

В. И. Козловский^ab, В. С. Кривобок^ab, П. И. Кузнецов^c, С. Н. Николаев^a, Е. Е. Онищенко^a, А. А. Пручкина^a, А. Г. Темирязев^c, С. И. Ченцов^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Предложена технология создания полностью гибридных микрорезонаторов на основе пленок Zn(S)Se и аморфных диэлектрических покрытий SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$. Продемонстрировано влияние всех ступеней технологического цикла на структуру экситонных состояний в пленках Zn(S)Se. Данное влияние сводится к четырем основным эффектам: появление тонкой структуры у линий излучения свободных экситонов; уменьшение относительного вклада в спектр излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах; низкочастотный сдвиг линий излучения экситонно-примесных комплексов и свободных экситонов; уменьшение расщепления между линиями излучения легких и тяжелых экситонов. Созданы образцы полностью гибридных микрорезонаторов, в которых удается сохранить высокое структурное и оптическое качество пленок Zn(S)Se.

Поступила в редакцию: 14.04.2015
Принята в печать: 20.04.2015