RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 23–29 (Mi phts6557)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Комплексный метод исследования корреляционных параметров самоорганизованных структур

А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. М. Мурсалов, Н. Б. Рыбин, Н. В. Рыбина

Рязанский государственный радиотехнический университет

Аннотация: Исследованы корреляционные параметры самоорганизованных структур с использованием комплексного подхода – метода двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом совместно с методом средней взаимной информации. В качестве самоорганизованных структур использованы модельные поверхности различной степени упорядоченности (упорядоченные, неупорядоченные, смешанные), а также пленки аморфного гидрогенизированного кремния и аморфного тетраэдрического углерода. На тестовых структурах было продемонстрировано, что корреляционные векторы, определенные по перегибам на зависимости флуктуационной функции от масштаба методом двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом, достаточно точно совпадают с заданными периодами гармонических составляющих поверхности. Метод средней взаимной информации целесообразнее использовать для неупорядоченных структур. Выявлено, что физический смысл максимальной взаимной информации заключается в том, что она характеризует информационную емкость системы. Применение комплексного метода позволяет наиболее всесторонне исследовать корреляционные параметры смешанных структур.

Поступила в редакцию: 06.04.2015
Принята в печать: 06.04.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 22–28

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024