RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 35–38 (Mi phts6559)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe

А. Ш. Абдиновa, Р. Ф. Бабаеваb, Р. М. Рзаевb, Н. А. Рагимоваa, С. И. Амироваa

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный экономический университет

Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости электрофизических параметров (удельной электропроводности и постоянной Холла) от температуры в чистых и слабо легированных редкоземельными элементами (гадолинием, гольмием и диспрозием) кристаллах селенида индия ($n$-InSe). Установлено, что полученные при этом результаты зависят от происхождения изучаемых образцов и для различных образцов оказываются разноречивым. Полученные при этом экспериментальные результаты объяснялись с учетом наличия хаотических крупномасштабных дефектов и обусловленных ими дрейфовых барьеров в исследуемых образцах.

Поступила в редакцию: 09.04.2015
Принята в печать: 30.04.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 34–37

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024