RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 67–82 (Mi phts6565)

Эта публикация цитируется в 40 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов

И. В. Антоноваab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Рассмотрены последние достижения в создании вертикальных гетероструктур на основе графена и монослоев других диэлектрических и полупроводниковых материалов, таких как гексагональный нитрид бора, дихалькогениды переходных металлов и др. Обсуждается значительный прогресс в данной области и огромные перспективы развития вертикальных гетероструктур для широкого спектра приложений, связанные прежде всего с пересмотром физических принципов построения и работы приборных структур с использованием графена в сочетании с другими монослойными материалами.

Поступила в редакцию: 01.04.2015
Принята в печать: 02.04.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:1, 66–82

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024