Аннотация:
Рассмотрены последние достижения в создании вертикальных гетероструктур на основе графена и монослоев других диэлектрических и полупроводниковых материалов, таких как гексагональный нитрид бора, дихалькогениды переходных металлов и др. Обсуждается значительный прогресс в данной области и огромные перспективы развития вертикальных гетероструктур для широкого спектра приложений, связанные прежде всего с пересмотром физических принципов построения и работы приборных структур с использованием графена в сочетании с другими монослойными материалами.
Поступила в редакцию: 01.04.2015 Принята в печать: 02.04.2015