М. О. Макеев, Ю. А. Иванов, С. А. Мешков, “Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1,страницы 83

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии

М. О. Макеев, Ю. А. Иванов, С. А. Мешков

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 03.04.2015