Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si–SiO$_{x}$ наноструктур

Впервые проведены исследования эффекта поляризационной памяти фотолюминесценции в $nc$-Si–SiO$_{x}$ светоизлучающих структурах, которые содержат наночастицы кремния ($nc$-Si) в матрице окисла. Исследовались поляризационные свойства сплошных и пористых наноструктур, пассивированных в парах (или растворе) HF. Установлено, что эффект поляризационной памяти проявляется лишь после обработки этих структур в HF, что сопровождается также коротковолновым сдвигом максимума фотолюминесценции и существенным повышением ее интенсивности. В анизотропных пористых $nc$-Si–SiO$_{x}$ образцах, полученных с помощью наклонного осаждения в вакууме, наблюдается также заметная ориентационная зависимость степени линейной поляризации фотолюминесценции в плоскости образца, которая коррелирует с ориентацией наноколонн SiO$_{x}$, формирующих структуру пористого слоя. Эти эффекты связываются с трансформацией наночастиц симметричной формы в асимметричные удлиненные $nc$-Si при травлении их в HF. В сплошных слоях $nc$-Si ориентированы хаотично, а в пористых структурах их преимущественная ориентация совпадает с ориентацией оксидных наноколонн.