Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния

Изучены условия синтеза углеродных покрытий на поверхности пластин карбида кремния (SiC), получаемых методом термического разложения. Исследовано влияние температуры и состава атмосферы отжига образцов на характер структурных свойств получаемых слоев. В результате определены условия, при которых могут быть получены сплошные пленки графита как с поликристаллической, так и с монокристаллической структурой.