Эта публикация цитируется в
1 статье
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Характер взаимодействия в системе SnSb$_{2}$Te$_{4}$–SnBi$_{2}$Te$_{4}$ и термоэлектрические свойства твердых растворов (SnSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$(SnBi$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$
Г. Р. Гурбанов,
М. Б. Адыгезалова Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Az-1010 Баку, Азербайджан
Аннотация:
Впервые различными физико-химическими методами в широком интервале температур изучен характер взаимодействия компонентов по разрезу SnSb
$_{2}$Te
$_{4}$–SnBi
$_{2}$Te
$_{4}$ и построены диаграммы состояния. Установлено, что разрез является квазибинарным сечением квазитройной системы SnTe–Sb
$_{2}$Te
$_{3}$–Bi
$_{2}$Te
$_{3}$. В разрезе имеется четверное соединение SnSbBiTe
$_{4}$, плавящееся конгруэнтно при 900 K. Монокристаллы четверного соединения SnSbBiTe
$_{4}$ получены методом химических транспортных реакций. Методом рентгенографического анализа определены параметры элементарной ячейки монокристаллов четверного соединения:
$a$ = 4.356
$\mathring{\mathrm{A}}$,
$c$ = 41.531
$\mathring{\mathrm{A}}$. Установлено, что соединение кристаллизуется в решетке тетрадимита ромбоэдрической сингонии, пр. гр. R
$\bar3$m, заряд
$z$ = 3, объем элементарной ячейки
$V$ = 682.43
$\mathring{\mathrm{A}}^{3}$. Измерены термоэлектрические параметры (SnSb
$_{2}$Te
$_{4}$)
$_{1-x}$(SnBi
$_{2}$Te
$_{4}$)
$_{x}$ в интервале температур 300–600 K. При увеличении содержания SnBi
$_{2}$Te
$_{4}$ в твердых растворах увеличивается термоэлектрическая эффективность. Термоэлектрическая эффективность образца твердых растворов (SnSb
$_{2}$Te
$_{4}$)
$_{1-x}$(SnBi
$_{2}$Te
$_{4}$)
$_{x}$ с
$x$ = 1.0 имеет максимальное значение
$Z$ = 3.1
$\cdot$10
$^{-3}$ K
$^{-1}$ при 300 K.
Ключевые слова:
твердые растворы (SnSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$(SnBi$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$, четверные соединения, квазитройная система, диаграмма состояния, фазовое равновесие, электропроводность, коэффициента термоэдс, теплопроводность. Поступила в редакцию: 04.02.2021
Исправленный вариант: 15.02.2021
Принята в печать: 15.02.2021
DOI:
10.21883/FTP.2021.06.50911.9624