Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]

Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO$_{0.5}$[SiO$_{2}$]$_{0.5}$ и GeO$_{0.5}$[SiO]$_{0.5}$ получены соиспарением порошков GeO$_{2}$ и SiO$_{2}$, либо GeO$_{2}$ и SiO, соответственно, и напылением на холодные подложки Si(100) и плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным отжигам при температуре до 900$^\circ$C. Наличие и фазовый состав нанокластеров германия в пленках были исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Трансформация после отжигов окружающей нанокластеры матрицы GeSi$_{x}$O$_{y}$ была исследована с применением фурье-инфракрасной спектроскопии. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, отжиг при температуре 800$^\circ$C привел к образованию нанокристаллов германия (НК-Ge), но содержание аморфной фазы германия составляло до половины объема. После отжига при температуре 900$^\circ$C аморфные нанокластеры практически полностью кристаллизовались. Размеры НК-Ge зависели от температуры отжигов, состава пленок и от подложки, при этом не наблюдалось формирования нанокристаллов Ge-Si.