RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
2017
, том 51,
выпуск 8,
страница 1151
(Mi phts6707)
Статьи, опубликованные в английской версии журнала
Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
E. A. Surovegina
a
,
E. V. Demidov
a
,
M. N. Drozdov
a
,
A. V. Murel
a
,
O. I. Khrykin
a
,
V. I. Shashkin
a
,
M. A. Lobaev
b
,
A. M. Gorbachev
b
,
A. L. Viharev
b
,
S. A. Bogdanov
b
,
V. A. Isaev
b
,
A. B. Muchnikov
b
,
V. V. Chernov
b
,
D. B. Radishev
b
,
J. E. Batler
b
a
Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
b
Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
Язык публикации:
английский
Полный текст:
PDF файл (63 kB)
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017,
51
:8,
1106
©
МИАН
, 2024