RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страница 1151 (Mi phts6707)

Статьи, опубликованные в английской версии журнала

Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”

E. A. Suroveginaa, E. V. Demidova, M. N. Drozdova, A. V. Murela, O. I. Khrykina, V. I. Shashkina, M. A. Lobaevb, A. M. Gorbachevb, A. L. Viharevb, S. A. Bogdanovb, V. A. Isaevb, A. B. Muchnikovb, V. V. Chernovb, D. B. Radishevb, J. E. Batlerb

a Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
b Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1106


© МИАН, 2024