Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами

Теоретически исследована нелокальная динамика электронов в псевдоморфных AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктурах с двухсторонним донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами из AlAs/GaAs короткопериодных сверхрешеток вокруг легированных областей. Для исследованных гетероструктур введение цифровых барьеров значительно, на 30–40%, повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Обнаружен эффект локализации горячих электронов на состояниях в AlAs/GaAs-сверхрешетках по краям InGaAs-квантовой ямы. Показано, что учет этого эффекта значительно увеличивает всплеск дрейфовой скорости электронов, приближая его к максимальному теоретическому пределу для используемой модели – всплеску дрейфовой скорости в нелегированном объемном материале InGaAs.