RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3, страницы 215–220 (Mi phts6858)

Физика полупроводниковых приборов

Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

А. Е. Жуковa, Н. В. Крыжановскаяa, И. С. Маховa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, Н. А. Фоминыхa, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, Ф. И. Зубовc, М. В. Максимовc

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модель, позволяющая в аналитическом виде проанализировать быстродействие $p$$i$$n$-фотодиода волноводной конструкции со светопоглощающей областью, представляющей собой многослойный массив квантовых точек, разделенных нелегированными прослойками. Показано, что существует оптимальное число рядов квантовых точек, а также оптимальная толщина спейсеров, позволяющие получить наибольшую рабочую частоту. Показана возможность достижения частотного диапазона (по уровню -3 дБ) выше 20 ГГц для волноводных фотодиодов на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs.

Ключевые слова: фотодиод, квантовые точки, быстродействие.

Поступила в редакцию: 06.04.2023
Исправленный вариант: 04.05.2023
Принята в печать: 04.05.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55632.4783



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025