Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства

Представлены результаты экспериментальных исследований заращивания квантовых точек InAs низкотемпературным слоем GaAs при различных давлениях паров мышьяка. Обнаружено, что трехкратное уменьшение давления мышьяка при фиксированной скорости осаждения покровного слоя приводит к смене формы спектра фотолюминесценции квантовых точек с одним максимумом на уровне 1.19 эВ на форму спектра с двумя низкоэнергетическими вкладами на уровнях 1.08 и 1.15 эВ. На основе анализа мощностных зависимостей спектров фотолюминесценции установлено, что низкоэнергетические вклады фотолюминесценции квантовых точек, зарощенных при низком давлении мышьяка, соответствуют излучению основных состояний двух групп квантовых точек с различным средним размером, сформированных в процессе массопереноса в системе “квантовая точка-смачивающий слой-матрица”.