RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7, страницы 573–576 (Mi phts6924)

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$

В. Ю. Давыдовa, А. Н. Смирновa, И. А. Елисеевa, Ю. Э. Китаевa, Ш. Ш. Шарофидиновa, А. А. Лебедевa, Д. Ю. Пановb, В. А. Спиридоновb, Д. А. Бауманb, А. Е. Романовab, В. В. Козловскийc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Установлено, что протонное облучение $\beta$-Ga$_2$O$_3$ приводит к существенному увеличению количества ионов Cr$^{3+}$, активных в люминесценции. С использованием люминесценции с угловым разрешением изучены особенности спектров ионов Cr$^{3+}$. Обнаружена высокая чувствительность спектров люминесценции и правил отбора для них к локальной симметрии ионов Cr$^{3+}$ в матрице $\beta$-Ga$_2$O$_3$. Полученные результаты свидетельствуют о потенциальной возможности использования кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ в качестве оптических дозиметров протонного облучения.

Ключевые слова: $\beta$-Ga$_2$O$_3$, $\alpha$-Ga$_2$O$_3$, протонное облучение, фотолюминесценция, симметрийный анализ.

Поступила в редакцию: 19.05.2023
Исправленный вариант: 18.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56794.5202C



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025