Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре

Впервые исследовано влияние отжига на параметры 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре. Энергия электронов составляла 0.9 МэВ, облучение проводилось при температурах 23, 300 и 500$^\circ$С в диапазоне флюенсов 1$\cdot$10$^{16}$–1.3$\cdot$10$^{17}$ см$^{-2}$. Результаты отжига образцов, облученных при высоких температурах, качественно отличаются от результатов отжига образцов, облученных тем же флюенсом при комнатной температуре. Полученные результаты свидетельствуют о том, что при высокотемпературном (“горячем”) облучении спектр вводимых в SiC радиационных дефектов существенно отличается от спектра дефектов, вводимых при комнатной температуре. При больших значениях флюенса при температурах облучения 300 и 500$^\circ$С обнаружен эффект “обратного отжига”, когда сопротивление базы диода не падает, а возрастает в результате отжига.