А. М. Надточий, И. А. Мельниченко, К. А. Иванов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 10,страницы 993

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

А. М. Надточий^a, И. А. Мельниченко^a, К. А. Иванов^a, С. А. Минтаиров^b, Н. А. Калюжный^b, М. В. Максимов^c, Н. В. Крыжановская^a, А. Е. Жуков^a

^a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10–300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени жизни намного слабее.

Ключевые слова: полупроводники, квантовые яма-точки, фотолюминесценция, временно́е разрешение, время жизни, температурная зависимость.

Поступила в редакцию: 20.09.2022
Исправленный вариант: 26.09.2022
Принята в печать: 26.09.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53961.9963