RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 7, страницы 1238–1241 (Mi phts776)

Аномальное распределение бора и водорода на больших глубинах в кремнии после протонно-стимулированной диффузии

В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, Г. М. Гурьянов, А. П. Коварский


Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) исследуется протонно-стимулированная диффузия (ПСД) бора в кремнии. Облучение кремния марки КЭФ-5 проводилось протонами с энергией 25$-$150 кэВ при температурах $600{-}800^{\circ}$С.
Показано, что в процессе ПСД на глубинах, значительно превышающих проецированный пробег протонов в образцах ($R_{p}$), наблюдается аномальное распределение бора и водорода. Вместо плавного спадания концентрации примеси с глубиной имеет место осцилляционное изменение концентрации в виде пакетов шириной 5$-$15 нм, причем глубина залегания этих осцилляций коррелирует с $R_{p}$ протонов.
Полученные результаты объясняются образованием на этих глубинах комплексов, включающих в себя атомы бора, водорода и междоузельные атомы кремния.



© МИАН, 2024