Аннотация:
В интервале температур ${77\div300}$ K исследовались
коэффициент Холла, электропроводность и подвижность электронов в
кристаллах $n$-ZnSe, отожженных в расплаве Zn с добавкой
легирующей примеси In от 0.01 до 80 ат%. Установлено, что атомы In
создают в ZnSe донopные уровни лишь при малых концентрациях вводимой
примеси. С увеличением количества вводимых в кристалл атомов In
возрастает концентрация компенсирующих акцепторов.
Имеет место процесс самокомпенсации мелкой донорной примеси. Предлагается модель, объясняющая смену донорного проявления индия в
$n$-ZnSe акцепторным с ростом уровня легирования.