Динамика эффекта Стеблера–Вронского в аморфном гидрогенизированном кремнии

Исследована динамика изменения под действием предварительного освещения величины собственной фотопроводимости ($\sigma_{\text{ф}}$) и коэффициента поглощения ($\alpha$) в «дефектной области» ${0.8\div1.4}$ эВ нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния. После предварительного освещения образца наблюдались уменьшение $\sigma_{\text{ф}}$ и рост $\alpha$. При длительном освещении интегральное поглощение в «дефектной области» возрастает со временем освещения ($t$) по закону, близкому к $t{\hbox{\rm\fontsize{6}{12}\selectfont \raise2pt\hbox{1}/\lower1pt\hbox{3}}}$, а $\sigma_{\text{ф}}$ уменьшается как $t{\hbox{\rm\fontsize{6}{12}\selectfont \raise2pt\hbox{$-$1}/\lower1pt\hbox{3}}}$, что объясняется образованием при освещении дефектов типа оборванных связей и рекомбинацией неравновесных носителей на данных дефектах. Слабое изменение интегрального поглощения по сравнению с изменением $\sigma_{\text{ф}}$ в начальный период освещения интерпретируется на основе предположения о возникновении помимо изолированных оборванных связей дефектов иного типа, связанных с остаточными примесями в материале.