Горячие электроны в гетероструктурах с селективным легированием (обзор)

На основе обзора теоретических и экспериментальных работ проанализированы перспективы использования эффекта разогрева электронов в гетероструктурах с селективным легированием (ГСЛ) для создания новых сверхвысокочастотных приборов. Показано, что для создания генераторов на переносе электронов между слоями, работающих на более высоких частотах, чем генераторы на междолинном переносе электронов, необходимо, чтобы толщина слоя широкозонного материала была значительно больше узкозонного, а время перехода электронов из широкозонного материала в узкозонный меньше времени перехода из верхней долины в нижнюю у объемного полупроводника. Экспериментальные результаты подтверждают этот вывод. Рассмотрены принципиально новые приборы на горячих электронах в ГСЛ и исследовано влияние разогрева электронов на характеристики полевых транзисторов с ГСЛ.