RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1404–1407 (Mi phts818)

Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS

А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев


Аннотация: Исследовались параметры уровней рения в $n$-кремнии методом DLTS. Установлено существование четырех уровней с энергиями ионизации ${E_{1}=E_{c}-(0.55\pm0.01)}$, ${E_{2}=E_{c}-(0.36\pm0.01)}$, ${E_{3}=E_{c}-(0.29\pm0.01)}$, ${E_{4}=E_{c}-(0.21\pm0.01)}$ эВ и соответственно с сечениями термической перезарядки электронов из глубоких уровней рения ${\sigma_{n_{1}}=0.63\cdot10^{-16}}$, ${\sigma_{n_{2}}=6.4\cdot10^{-14}}$, ${\sigma_{n_{3}}=8.7\cdot10^{-18}}$, ${\sigma_{n_{4}}=6.8\cdot10^{-16}\,\text{см}^{2}}$,
Полученные результаты обсуждаются на основе модели Ройцина–Фирштейна–Людвига–Вудбери. Качественно определено зарядовое состояние атомов рения как в случае атома замещения, так и в случае атома внедрения в кристаллической решетке кремния.



© МИАН, 2024